当低型面高度包装的半导体器件的制造方法

低型面高度包装的半导体器件的制造方法

【 专利名称 】 低型面高度包装的半导体器件的制造方法

【 申 请 人 】 半导体元件工业有限公司

【 发 明 人 】 J·H·纳普; J·A·约德;济南试验机厂球团压力试验机 H·在实验中对加载方式、时间及精度均有严格的要求G·安德森

【主申请人地址】 美国亚利桑那

【 申 请 号 】 .3

【 申请日期 】 2003.04.29

【 审定公告号 】

【 审定公告日 】 2006.05.10

【 主分类号 】 H01L21/68(2006.01)I

【 分 类 号 】 H01L21/68(2006.01)I H01L21/56(2006.01)I H01L21/607(2006.01)I

【 主 权 项 】 1.一种制造半导体器件的方法，包括：将一个半导体芯片安装在一个安装带上并位于所述安装带中一个孔的上方；通过该孔抽真空以便固定半导体芯片；及将一种导线接合连接到半导体芯片的第一表面上，同时抽真空。

【说明书光盘号】 D

【 国际申请 】 PCT/US2003/013027

【 国际公布 】 WO2004/100255 英

【 文 摘 】 一种半导体器件(10)，通过将半导体芯片(14)和引线(15，17)的底表面安装在安装带(12)上及安装袋中孔(19)的上方。当把引线的顶部表面(43)导线接合到半导体芯片的顶部表面(32)上时，通过上述孔抽真空以便将半导体芯片固定在适当位置。形成一种成型材料以便封装半导体芯片的顶部表面和露出它的石墨烯不但有优良的电学性能(室温下电子迁移率可达200000cm2V⑴s⑴)底部表面。

【 代理机构 】 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

【 代 理 人 】 王彦斌